2.1. Organización básica

Las memorias se pueden clasificar atendiendo a diferentes criterios. Revisaremos en los apartados siguientes los más significativos:

Método de acceso

      Acceso aleatorio (RAM): acceso directo y tiempo de acceso constante e   independiente de la posición de memoria.

      Acceso secuencial (SAM): tiempo de acceso dependiente de la posición de memoria.

      Acceso directo (DAM): acceso directo a un sector con tiempo de acceso dependiente de la posición, y acceso secuencial dentro del sector.

      Asociativas CAM): acceso por contenido

Soporte físico

      Semiconductor

      Magnéticas

      Ópticas

      Magneto-ópticas

Alterabilidad

      RAM: lectura y escritura

      ROM (Read 0nly Memory): Son memorias de sólo lectura. Existen diferentes variantes:

      ROM programadas por máscara, cuya información se escribe en el proceso de fabricación y no se puede modificar.

      PROM, o ROM programable una sola vez. Utilizan una matriz de diodos cuya unión se puede destruir aplicando sobre ella una sobretensión.

      EPROM (Erasable PROM) o RPROM (Reprogramable ROM), cuyo contenido puede borrarse mediante rayos ultravioletas para volverlas a escribir.

      EAROM (Electrically Alterable ROM) o EEROM (Electrically Erasable ROM), son memorias que están entre las RAM y las ROM ya que su contenido se puede volver a escribir por medios eléctricos. Se diferencian de las RAM en que no son volátiles.

      Memoria FLASH. Utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las EEPROM, pero pueden ser borradas y reprogramadas en bloques, y no palabra por palabra como ocurre con las tradicionales EEPROM.

Volatilidad con la fuente de energía

      Volátiles: necesitan la fuente de energía para mantener la información.

      No volátiles: mantienen la información sin aporte de energía.

Duración de la información

      Estáticas: el contenido permanece inalterable mientras están polarizadas.

      Dinámicas: el contenido sólo dura un corto período de tiempo, por lo que es necesario refrescarlo (reescribirlo) periódicamente.

Proceso de lectura

      Lectura destructiva: necesitan reescritura después de una lectura.

      Lectura no destructiva

Ubicación en el computador

      Interna (CPU): registros, cache(L1), cache(L2), cache(L3), memoria principal

      Externa (E/S): discos, cintas, etc.

Parámetros de velocidad

      Tiempo de acceso

      Tiempo de ciclo

      Ancho de banda(frecuencia de acceso)

Unidades de transferencia

      Palabras

      Bloques