Memoria de acceso aleatorio
La memoria de acceso
aleatorio (en inglés: random-access memory) se utiliza como memoria
de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayoría del software.
Es allí donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y
otras unidades de cómputo. Se denominan «de acceso aleatorio» porque se puede
leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera igual para
cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la
información de la manera más rápida posible. Durante el encendido del
computador, la rutina POST verifica que los módulos de memoria RAM
estén conectados de manera correcta. En el caso que no existan o no se detecten
los módulos, la mayoría de tarjetas madres emiten una serie de pitidos que
indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese proceso, la memoria BIOS puede
realizar un test básico sobre la memoria RAM indicando fallos mayores en la
misma.
Memoria de
solo lectura
La memoria de solo lectura, conocida también como ROM (en inglés de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la
información y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una
fuente de energía.
Los datos
almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera rápida o
fácil. Se utiliza principalmente en su sentido más estricto, se refiere sólo a
máscara ROM -en inglés, MROM- (el más antiguo tipo de estado sólido ROM), que
se fabrica con los datos almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su
contenido no puede ser modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más
modernas, como EPROM y Flash
EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces, aun
siendo descritos como "memoria de sólo lectura" (ROM).
Memoria
flash
La memoria flash derivada
de la memoria EEPROM permite la lectura y
escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a
ello, la tecnología flash,
siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy
superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar
sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de
la tecnología empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
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